מספר מוצר של יצרן:
STW6N120K3
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STW6N120K3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12877002
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STW6N120K3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
SuperMESH3™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
34 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1050 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
STW6N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-12124
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFH6N100F
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFH6N100F-DG
מחיר ליחידה
6.29
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTH3N120
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTH3N120-DG
מחיר ליחידה
5.37
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFH6N120P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
282
DiGi מספר חלק
IXFH6N120P-DG
מחיר ליחידה
6.03
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFH6N120
יצרן
IXYS
כמות זמינה
290
DiGi מספר חלק
IXFH6N120-DG
מחיר ליחידה
6.72
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STW8N120K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1511
DiGi מספר חלק
STW8N120K5-DG
מחיר ליחידה
3.77
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STP24NM65N
MOSFET N-CH 650V 19A TO220AB
STP30N20
MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
STP150NF04
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
