מספר מוצר של יצרן:
IXFH6N120
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFH6N120-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
מלאי:
290 יחידות חדשות מק originales במלאי
12819477
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
1S6i
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFH6N120 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.6Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
56 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1950 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AD (IXFH)
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXFH6
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXKP10N60C5M
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
IXTH24N50L
MOSFET N-CH 500V 24A TO247
IXTQ180N10T
MOSFET N-CH 100V 180A TO3P
