מספר מוצר של יצרן:
IXTH3N120
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTH3N120-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
מלאי:
12821399
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTH3N120 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
39 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
200W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247 (IXTH)
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXTH3
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFN40N110P
MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
IXTQ96N15P
MOSFET N-CH 150V 96A TO3P
IXTH62N25T
MOSFET N-CH 250V 62A TO247
