STW8N120K5
מספר מוצר של יצרן:

STW8N120K5

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

STW8N120K5-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-247

מלאי:

1511 יחידות חדשות מק originales במלאי
12871294
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

STW8N120K5 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ K5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13.7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
505 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
130W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
STW8

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
STW8N120K5-DG
497-18094
חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
microchip-technology

VP2450N3-G

MOSFET P-CH 500V 100MA TO92-3

microchip-technology

TN2540N8-G

MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA

stmicroelectronics

STP13NK60Z

MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB

stmicroelectronics

STN3PF06

MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223