מספר מוצר של יצרן:
STW58N60DM2AG
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STW58N60DM2AG-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12871979
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STW58N60DM2AG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ DM2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
90 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4100 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
360W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
STW58
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-16131-5
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPW60R060C7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
313
DiGi מספר חלק
IPW60R060C7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
4.26
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTH48N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
272
DiGi מספר חלק
IXTH48N65X2-DG
מחיר ליחידה
5.48
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTH62N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
10
DiGi מספר חלק
IXTH62N65X2-DG
מחיר ליחידה
6.25
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPW65R048CFDAFKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
80
DiGi מספר חלק
IPW65R048CFDAFKSA1-DG
מחיר ליחידה
7.59
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STP45NF06
MOSFET N-CH 60V 38A TO220AB
STP270N4F3
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
PHM21NQ15T,518
MOSFET N-CH 150V 22.2A 8HVSON