מספר מוצר של יצרן:
IXTH62N65X2
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTH62N65X2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 62A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 62A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
מלאי:
10 יחידות חדשות מק originales במלאי
12820907
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTH62N65X2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Ultra X2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
62A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
52mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
104 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5940 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
780W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247 (IXTH)
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXTH62
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPW60R060P7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
60
DiGi מספר חלק
IPW60R060P7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
3.01
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTY02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
IXTN200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
IXFH16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
