IPW60R060C7XKSA1
מספר מוצר של יצרן:

IPW60R060C7XKSA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPW60R060C7XKSA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 162W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

מלאי:

313 יחידות חדשות מק originales במלאי
12806128
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPW60R060C7XKSA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ C7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 800µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
68 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2850 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
162W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW60R060

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SP001385020
חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IRFR7740PBF

MOSFET N-CH 75V 87A DPAK

infineon-technologies

IRLR024NTRRPBF

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

infineon-technologies

IPD90N06S407ATMA2

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31

infineon-technologies

IRL1004PBF

MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB