מספר מוצר של יצרן:
IPW65R048CFDAFKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPW65R048CFDAFKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 63.3A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
מלאי:
80 יחידות חדשות מק originales במלאי
12807053
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPW65R048CFDAFKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
63.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
48mOhm @ 29.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 2.9mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
270 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7440 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW65R048
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000895318
ROCINFIPW65R048CFDAFKSA1
2156-IPW65R048CFDAFKSA1
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFC3205ZEB
MOSFET N-CH WAFER
IRFR1205TRRPBF
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
IRL540NSTRR
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK