מספר מוצר של יצרן:
FCP22N60N-F102
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCP22N60N-F102-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12849898
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCP22N60N-F102 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
22A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
165mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±45V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1950 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
205W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FCP22N60
מידע נוסף
שמות אחרים
2832-FCP22N60N-F102-488
FCP22N60N_F102
FCP22N60N_F102-DG
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NTP165N65S3H
יצרן
onsemi
כמות זמינה
523
DiGi מספר חלק
NTP165N65S3H-DG
מחיר ליחידה
1.81
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STFH24N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
881
DiGi מספר חלק
STFH24N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.16
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SIHA22N60AE-E3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SIHA22N60AE-E3-DG
מחיר ליחידה
1.65
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPAW60R180P7SXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
451
DiGi מספר חלק
IPAW60R180P7SXKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.69
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPA60R180P7SXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1668
DiGi מספר חלק
IPA60R180P7SXKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.69
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQN1N60CBU
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
AOK2500L
MOSFET N-CH 150V 14A/180A TO247
FDMS3008SDC
MOSFET N-CH 30V 29A DUAL COOL56
