מספר מוצר של יצרן:
IPAW60R180P7SXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPAW60R180P7SXKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
מלאי:
451 יחידות חדשות מק originales במלאי
13063919
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPAW60R180P7SXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
אריזה
Tube
מצב חלק
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 280µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1081 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
26W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220 Full Pack
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPAW60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPAW60R180P7SXKSA1-ND
SP001606072
448-IPAW60R180P7SXKSA1
חבילה סטנדרטית
45
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STFU28N65M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
215
DiGi מספר חלק
STFU28N65M2-DG
מחיר ליחידה
1.41
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPA60R180P7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
484
DiGi מספר חלק
IPA60R180P7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.07
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSC097N06NSTATMA1
MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON
BSC059N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
BSZ070N08LS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
