מספר מוצר של יצרן:
IPA083N10N5XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPA083N10N5XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 44A TO220-FP
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 44A (Tc) 36W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
מלאי:
442 יחידות חדשות מק originales במלאי
13063931
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPA083N10N5XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
אריזה
Tube
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
44A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.3mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 49µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
37 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2730 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
36W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA083
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPA083N10N5XKSA1-ND
SP001226038
448-IPA083N10N5XKSA1
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPC218N06N3X7SA1
MV POWER MOS
IPA105N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP
BSO203SPNTMA1
MOSFET P-CH 20V 9A 8DSO
