מספר מוצר של יצרן:
IPC218N06N3X7SA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPC218N06N3X7SA1-DG
תיאור:
MV POWER MOS
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V Surface Mount Die
מלאי:
13063935
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPC218N06N3X7SA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Bulk
סדרה
OptiMOS™ 3
אריזה
Bulk
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
-
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 196µA
VGS (מקס')
-
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
Die
חבילה / מארז
Die
מספר מוצר בסיסי
IPC218
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPC218N06N3X7SA1-ND
448-IPC218N06N3X7SA1
SP001155554
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA105N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP
BSO203SPNTMA1
MOSFET P-CH 20V 9A 8DSO
IPA50R280CE
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP
