מספר מוצר של יצרן:
FQN1N60CBU
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQN1N60CBU-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
מלאי:
12849900
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQN1N60CBU מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
300mA (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.5Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.2 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
170 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Ta), 3W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-92-3
חבילה / מארז
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
מספר מוצר בסיסי
FQN1
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FQN1N60CTA
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
80002
DiGi מספר חלק
FQN1N60CTA-DG
מחיר ליחידה
0.20
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AOK2500L
MOSFET N-CH 150V 14A/180A TO247
FDMS3008SDC
MOSFET N-CH 30V 29A DUAL COOL56
BSZ040N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
