מספר מוצר של יצרן:
NTP165N65S3H
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTP165N65S3H-DG
תיאור:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 142W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
523 יחידות חדשות מק originales במלאי
12950501
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTP165N65S3H מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
SuperFET® III
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
19A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1.6mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1808 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
142W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
488-NTP165N65S3H
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
MSJP20N65A-BP
יצרן
Micro Commercial Co
כמות זמינה
30050
DiGi מספר חלק
MSJP20N65A-BP-DG
מחיר ליחידה
1.47
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTP067N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTBGS002N06C
POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
NTH4LN095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
