מספר מוצר של יצרן:
IPD50R650CEBTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD50R650CEBTMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 6.1A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
12801802
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD50R650CEBTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™ CE
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
342 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
47W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD50R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000992078
IPD50R650CECT-DG
ROCINFIPD50R650CEBTMA1
IPD50R650CEBTMA1CT
IPD50R650CECT
IPD50R650CETR-DG
2156-IPD50R650CEBTMA1
IPD50R650CEBTMA1DKR
IPD50R650CEDKR-DG
-IPD50R650CE
IPD50R650CEBTMA1TR
IPD50R650CE
IPD50R650CETR
IPD50R650CEDKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD10N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
6542
DiGi מספר חלק
STD10N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.53
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRF3004WL
MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3
BSP317PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
AUIRF3710ZSTRL
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
