STD10N60M2
מספר מוצר של יצרן:

STD10N60M2

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

STD10N60M2-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK

מלאי:

6542 יחידות חדשות מק originales במלאי
12872357
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
dnXK
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

STD10N60M2 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
MDmesh™ II Plus
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
400 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
85W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DPAK
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
STD10

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
-497-13937-1
497-13937-6
2266-STD10N60M2
STD10N60M2-DG
-497-13937-6
-497-13937-2
497-13937-1
497-13937-2
חבילה סטנדרטית
2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
stmicroelectronics

STB28N65M2

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK

stmicroelectronics

STD18NF03L

MOSFET N-CH 30V 17A DPAK

stmicroelectronics

STB18N60M6

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

stmicroelectronics

STN1N20

MOSFET N-CH 200V 1A SOT223