מספר מוצר של יצרן:
IPAN80R360P7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPAN80R360P7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 13A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
מלאי:
12801839
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPAN80R360P7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 280µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
930 pF @ 500 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPAN80
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001702158
2156-IPAN80R360P7XKSA1
INFINFIPAN80R360P7XKSA1
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK11A65W,S5X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
81
DiGi מספר חלק
TK11A65W,S5X-DG
מחיר ליחידה
0.50
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXFP12N65X2M
יצרן
IXYS
כמות זמינה
295
DiGi מספר חלק
IXFP12N65X2M-DG
מחיר ליחידה
1.80
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPA80R360P7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
279
DiGi מספר חלק
IPA80R360P7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.03
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD50R650CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
AUIRF1405ZS
MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
BSC13DN30NSFDATMA1
MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
