מספר מוצר של יצרן:
TK11A65W,S5X
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK11A65W,S5X-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 11.1A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
81 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890684
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK11A65W,S5X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
DTMOSIV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11.1A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
390mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 450µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
890 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK11A65
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK11A65WS5X
TK11A65W,S5X(M
TK11A65W,S5X-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK11A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 11A TO220SIS
TPCA8010-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
SSM6G18NU,LF
MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN