מספר מוצר של יצרן:
BSP317PL6327HTSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSP317PL6327HTSA1-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
תיאור מפורט:
P-Channel 250 V 430mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
מלאי:
12801813
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSP317PL6327HTSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
430mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4Ohm @ 430mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 370µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15.1 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
262 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223-4-21
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
BSP317
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-BSP317PL6327HTSA1
BSP317PL6327HTSA1TR
BSP317PL6327INCT
BSP317PL6327HTSA1DKR
BSP317P L6327-DG
BSP317PL6327HTSA1CT
BSP317P L6327
2156-BSP317PL6327HTSA1-ITTR-DG
BSP317PL6327INDKR
BSP317PL6327INTR
BSP317PL6327XT
SP000089220
BSP317PL6327
BSP317PL6327INDKR-DG
BSP317PL6327INCT-DG
BSP317PL6327INTR-DG
IFEINFBSP317PL6327HTSA1
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
BSP317PH6327XTSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
8987
DiGi מספר חלק
BSP317PH6327XTSA1-DG
מחיר ליחידה
0.29
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRF3710ZSTRL
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
IPAN80R360P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 13A TO220
IPD50R650CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3