מספר מוצר של יצרן:
IPB65R600C6ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB65R600C6ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
12800561
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB65R600C6ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 210µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
440 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
63W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB65R
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB65R600C6ATMA1TR
IPB65R600C6
IPB65R600C6-DG
IPB65R600C6DKR-DG
SP000794382
IPB65R600C6ATMA1DKR
IPB65R600C6CT-DG
IPB65R600C6DKR
IPB65R600C6ATMA1CT
IPB65R600C6CT
IPB65R600C6TR-DG
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB8N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
531
DiGi מספר חלק
STB8N65M5-DG
מחיר ליחידה
1.20
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SIHD6N65ET1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SIHD6N65ET1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.59
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXFA16N60P3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFA16N60P3-DG
מחיר ליחידה
4.80
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
IAUT260N10S5N019ATMA1
MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
