מספר מוצר של יצרן:
STB8N65M5
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STB8N65M5-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
531 יחידות חדשות מק originales במלאי
12945232
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STB8N65M5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
MDmesh™ V
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
690 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
70W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
STB8N65
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-10875-1
497-10875-2
497-10875-6
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFA14N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
50
DiGi מספר חלק
IXFA14N60P-DG
מחיר ליחידה
2.25
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTA14N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
235
DiGi מספר חלק
IXTA14N60P-DG
מחיר ליחידה
2.12
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFS9N60ATRLPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
800
DiGi מספר חלק
IRFS9N60ATRLPBF-DG
מחיר ליחידה
1.51
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF730
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220
STD80N10F7
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
STL120N8F7
MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT
