מספר מוצר של יצרן:
IPB073N15N5ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB073N15N5ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
מלאי:
2934 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800569
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB073N15N5ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™-5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
114A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.3mOhm @ 57A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.6V @ 160µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
61 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4700 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
214W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3-2
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB073
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB073N15N5ATMA1DKR
IPB073N15N5ATMA1TR
IPB073N15N5ATMA1CT
SP001180660
IPB073N15N5ATMA1-DG
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA60R600P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
IPD65R190C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
IPA60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
