מספר מוצר של יצרן:
IPD30N08S2L21ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD30N08S2L21ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
20072 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800562
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD30N08S2L21ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
75 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
20.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 80µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
72 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1650 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
136W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD30N08
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD30N08S2L21
IPD30N08S2L21ATMA1TR
SP000252170
IPD30N08S2L-21-DG
IPD30N08S2L-21CT
IFEINFIPD30N08S2L21ATMA1
IPD30N08S2L-21
IPD30N08S2L21ATMA1DKR
IPD30N08S2L-21TR-DG
IPD30N08S2L21ATMA1CT
IPD30N08S2L-21DKR
IPD30N08S2L-21DKR-DG
IPD30N08S2L-21CT-DG
2156-IPD30N08S2L21ATMA1
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IAUT260N10S5N019ATMA1
MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
IPA60R600P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
