מספר מוצר של יצרן:
IPB009N03LGATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB009N03LGATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
מלאי:
12800557
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB009N03LGATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
180A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
0.95mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
227 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
25000 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-7-3
חבילה / מארז
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
מספר מוצר בסיסי
IPB009
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB009N03LGATMA1TR
SP000394657
IPB009N03L GDKR-DG
IPB009N03LGATMA1CT
IPB009N03L GTR
IPB009N03L GCT-DG
IPB009N03L G-DG
IPB009N03L GTR-DG
IPB009N03L G
IPB009N03LG
2156-IPB009N03LGATMA1
IPB009N03L GCT
IPB009N03L GDKR
IPB009N03LGATMA1DKR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SQM200N04-1M7L_GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SQM200N04-1M7L_GE3-DG
מחיר ליחידה
1.41
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB65R600C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
IAUT260N10S5N019ATMA1
MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF