מספר מוצר של יצרן:
IPA60R460CEXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPA60R460CEXKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 9.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
מלאי:
12801236
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPA60R460CEXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™ CE
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
460mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 280µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
620 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA60R460
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPA60R460CEXKSA1
SP001276042
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STF12N65M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
366
DiGi מספר חלק
STF12N65M2-DG
מחיר ליחידה
0.74
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPA60R360P7SXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
3734
DiGi מספר חלק
IPA60R360P7SXKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.43
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FCPF7N60
יצרן
onsemi
כמות זמינה
988
DiGi מספר חלק
FCPF7N60-DG
מחיר ליחידה
1.08
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD65R950CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
IPD60R2K1CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
IPB037N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
