STF12N65M2
מספר מוצר של יצרן:

STF12N65M2

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

STF12N65M2-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP

מלאי:

366 יחידות חדשות מק originales במלאי
12877684
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

STF12N65M2 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
535 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
STF12

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
497-15531-5
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
stmicroelectronics

STH260N6F6-6

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

stmicroelectronics

STL17N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT

stmicroelectronics

STW37N60DM2AG

MOSFET N-CH 600V 28A TO247

stmicroelectronics

STF34NM60ND

MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP