מספר מוצר של יצרן:
IPD60R2K1CEAUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD60R2K1CEAUMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 2.3A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
10286 יחידות חדשות מק originales במלאי
12801242
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD60R2K1CEAUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ CE
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.1Ohm @ 760mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 60µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
140 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
38W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD60R2K1CEAUMA1CT
IPD60R2K1CEAUMA1DKR
IPD60R2K1CEAUMA1TR
IPD60R2K1CEAUMA1-DG
SP001396904
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB037N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
IPB180P04P4L02ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
IRFR3706
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK