מספר מוצר של יצרן:
IPB037N06N3GATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB037N06N3GATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
4000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12801243
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB037N06N3GATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 90µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
98 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
11000 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
188W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB037
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB037N06N3 GTR-DG
IPB037N06N3 GCT
IPB037N06N3GATMA1CT
IPB037N06N3 GDKR
IPB037N06N3 GCT-DG
IPB037N06N3GATMA1TR
IPB037N06N3 GDKR-DG
IPB037N06N3GATMA1DKR
IPB037N06N3 G-DG
IPB037N06N3G
SP000397986
IPB037N06N3 G
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB180P04P4L02ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
IRFR3706
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IPD65R660CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3