מספר מוצר של יצרן:
SQ4483EY-T1_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQ4483EY-T1_GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 30A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
2428 יחידות חדשות מק originales במלאי
13008075
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQ4483EY-T1_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
113 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4500 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
7W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SQ4483
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מודלים חלופיים
מספר חלק
SQ4483EY-T1_BE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1913
DiGi מספר חלק
SQ4483EY-T1_BE3-DG
מחיר ליחידה
0.51
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQ4483BEEY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
SUP53P06-20-E3
MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
SIRA60DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
