SUP53P06-20-E3

מספר מוצר של יצרן:

SUP53P06-20-E3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SUP53P06-20-E3-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB

תיאור מפורט:

P-Channel 60 V 9.2A (Ta), 53A (Tc) 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) Through Hole TO-220AB

מלאי:

3176 יחידות חדשות מק originales במלאי

13008159

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

GQIE

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SUP53P06-20-E3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tube

סדרה

TrenchFET®

אריזה

Tube

מצב חלק

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

9.2A (Ta), 53A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

19.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

115 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

3500 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.1W (Ta), 104.2W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-220AB

חבילה / מארז

TO-220-3

מספר מוצר בסיסי

SUP53

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

SUP53P06-20-E3-DG

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay

SIRA60DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

vishay

SIHW47N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD

vishay

SIHD3N50DT4-GE3

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

vishay

SIR872ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8