מספר מוצר של יצרן:
SIRA60DP-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIRA60DP-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
9703 יחידות חדשות מק originales במלאי
13008178
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIRA60DP-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
0.94mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
60 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
+20V, -16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7650 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
57W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIRA60
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHW47N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
SIHD3N50DT4-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
