מספר מוצר של יצרן:
SIB417AEDK-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIB417AEDK-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
תיאור מפורט:
P-Channel 8 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
מלאי:
13059044
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIB417AEDK-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
8 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
32mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18.5 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
878 pF @ 4 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SC-75-6
חבילה / מארז
PowerPAK® SC-75-6
מספר מוצר בסיסי
SIB417
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SIB417AEDK-T1-GE3TR
SIB417AEDKT1GE3
SIB417AEDK-T1-GE3DKR
SIB417AEDK-T1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SIB441EDK-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
2930
DiGi מספר חלק
SIB441EDK-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.12
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7882DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
SIB415DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A PPAK SC75-6
SI7772DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
