מספר מוצר של יצרן:
SI7882DP-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI7882DP-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 12 V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
13059214
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI7882DP-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.9W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SI7882
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI7882DPT1GE3
SI7882DP-T1-GE3TR
SI7882DP-T1-GE3CT
SI7882DP-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIB415DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A PPAK SC75-6
SI7772DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
SI3483DDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
