מספר מוצר של יצרן:
SI3483DDV-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI3483DDV-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 6.4A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
מלאי:
4834 יחידות חדשות מק originales במלאי
13059487
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI3483DDV-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.4A (Ta), 8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
31.2mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+16V, -20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
580 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta), 3W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-TSOP
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
מספר מוצר בסיסי
SI3483
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI3483DDV-T1-GE3DKR
SI3483DDV-T1-GE3TR
SI3483DDV-T1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIDR390DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
SI2392ADS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
SI3433CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP