SQD100N03-3M4_GE3
מספר מוצר של יצרן:

SQD100N03-3M4_GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SQD100N03-3M4_GE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

מלאי:

12918428
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SQD100N03-3M4_GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
124 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7349 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
136W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SQD100

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SQD100N03-3M4_GE3-DG
SQD100N03-3M4_GE3TR
SQD100N03-3M4_GE3CT
SQD100N03-3M4_GE3DKR
חבילה סטנדרטית
2,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
IPD031N03LGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4331
DiGi מספר חלק
IPD031N03LGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.51
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SI3469DV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP

vishay-siliconix

SIE812DF-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SIE808DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SUD09P10-195-GE3

MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252