מספר מוצר של יצרן:
IPD031N03LGATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD031N03LGATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
4331 יחידות חדשות מק originales במלאי
12801482
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD031N03LGATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
51 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5300 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
94W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD031
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD021N03LGINTR-DG
IPD021N03LGINCT-DG
IPD031N03LGATMA1CT
IPD021N03LGINDKR-DG
IPD031N03LGINTR-DG
IPD031N03LGINCT-DG
IPD031N03L G
IPD031N03LGATMA1TR
IPD021N03LGINCT
IPD021N03LGINDKR
IPD031N03LG
IPD031N03LGXT
IPD031N03LGATMA1DKR
IPD031N03LGINDKR-DG
IPD031N03LGINCT
SP000680554
IPD021N03LGINTR
IPD021N03LG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP11N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO220-3
IPAN70R450P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 10A TO220
IPB45N06S409ATMA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
