SIE808DF-T1-GE3

מספר מוצר של יצרן:

SIE808DF-T1-GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SIE808DF-T1-GE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK

תיאור מפורט:

N-Channel 20 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12918442

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SIE808DF-T1-GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

TrenchFET®

סטטוס המוצר

Last Time Buy

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

60A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

1.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

155 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

8800 pF @ 10 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

10-PolarPAK® (L)

חבילה / מארז

10-PolarPAK® (L)

מספר מוצר בסיסי

SIE808

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

SIE808DF-T1-GE3

גיליון נתונים של HTML

SIE808DF-T1-GE3-DG

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SUD09P10-195-GE3

MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252

vishay-siliconix

SI3434DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP

vishay-siliconix

SQJ414EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQJA80EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8