SIHU4N80E-GE3
מספר מוצר של יצרן:

SIHU4N80E-GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SIHU4N80E-GE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)

מלאי:

12920734
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SIHU4N80E-GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
32 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
622 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
69W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
IPAK (TO-251)
חבילה / מארז
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
מספר מוצר בסיסי
SIHU4

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
SIHU4N80AE-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
2995
DiGi מספר חלק
SIHU4N80AE-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.54
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SQ4410EY-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

vishay-siliconix

SIR800ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK

vishay-siliconix

SUM50P10-42-E3

MOSFET N-CH 100V 36A TO263

vishay-siliconix

SIHH180N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8