מספר מוצר של יצרן:
SIHU4N80AE-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHU4N80AE-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
מלאי:
2995 יחידות חדשות מק originales במלאי
12786674
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHU4N80AE-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
32 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
622 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
69W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
IPAK (TO-251)
חבילה / מארז
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
מספר מוצר בסיסי
SIHU4
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2266-SIHU4N80AE-GE3
SIHU4N80AE-GE3-DG
742-SIHU4N80AE-GE3
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR812DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIS184DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
SQD40031EL_GE3
MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
