SUM50P10-42-E3
מספר מוצר של יצרן:

SUM50P10-42-E3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SUM50P10-42-E3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 36A TO263
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 36A (Tc) 18.8W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

מלאי:

12920746
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SUM50P10-42-E3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
36A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.2mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
160 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4600 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
18.8W (Ta), 125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
SUM50

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
SUM90P10-19L-E3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
5936
DiGi מספר חלק
SUM90P10-19L-E3-DG
מחיר ליחידה
1.90
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SIHH180N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8

onsemi

2SJ652-1E

MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG

vishay-siliconix

SISS42DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK

vishay-siliconix

SUP60030E-GE3

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB