מספר מוצר של יצרן:
SIHP14N60E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHP14N60E-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12918054
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHP14N60E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
309mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
64 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1205 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
147W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SIHP14
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK14E65W5,S1X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
15
DiGi מספר חלק
TK14E65W5,S1X-DG
מחיר ליחידה
1.26
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SIHP14N60E-BE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
978
DiGi מספר חלק
SIHP14N60E-BE3-DG
מחיר ליחידה
0.91
סוג משאב
Direct
מספר חלק
STP18N65M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1005
DiGi מספר חלק
STP18N65M2-DG
מחיר ליחידה
1.05
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FCPF11N60F
יצרן
onsemi
כמות זמינה
998
DiGi מספר חלק
FCPF11N60F-DG
מחיר ליחידה
1.54
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FCP400N80Z
יצרן
onsemi
כמות זמינה
850
DiGi מספר חלק
FCP400N80Z-DG
מחיר ליחידה
1.50
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQ1431EH-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
SIHG33N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
SIA450DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 240V 1.52A PPAK
