מספר מוצר של יצרן:
SIA450DJ-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIA450DJ-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 240V 1.52A PPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 240 V 1.52A (Tc) 3.3W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
מלאי:
12918069
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIA450DJ-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
240 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.52A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.9Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7.04 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
167 pF @ 120 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.3W (Ta), 15W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SC-70-6
חבילה / מארז
PowerPAK® SC-70-6
מספר מוצר בסיסי
SIA450
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SIA456DJ-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
13305
DiGi מספר חלק
SIA456DJ-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.31
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI5853DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
SI7465DP-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
