מספר מוצר של יצרן:
SIHG33N65EF-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHG33N65EF-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 31.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
מלאי:
12918066
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHG33N65EF-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
31.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
109mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
171 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4026 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
313W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AC
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SIHG33
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SPW35N60C3FKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
198
DiGi מספר חלק
SPW35N60C3FKSA1-DG
מחיר ליחידה
5.72
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPW60R099CPAFKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
196
DiGi מספר חלק
IPW60R099CPAFKSA1-DG
מחיר ליחידה
4.16
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FCH104N60F
יצרן
onsemi
כמות זמינה
450
DiGi מספר חלק
FCH104N60F-DG
מחיר ליחידה
3.30
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXFR64N60Q3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
30
DiGi מספר חלק
IXFR64N60Q3-DG
מחיר ליחידה
28.02
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTH34N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
285
DiGi מספר חלק
IXTH34N65X2-DG
מחיר ליחידה
3.46
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIA450DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 240V 1.52A PPAK
SI5853DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
