מספר מוצר של יצרן:
SPW35N60C3FKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPW35N60C3FKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 34.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
מלאי:
198 יחידות חדשות מק originales במלאי
12808198
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPW35N60C3FKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
34.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 21.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 1.9mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
200 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4500 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
313W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-1
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SPW35N60
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SPW35N60C3IN-DG
SPW35N60C3IN
INFINFSPW35N60C3FKSA1
SP000014970
SPW35N60C3
SPW35N60C3-DG
SPW35N60C3X
SPW35N60C3XK
2156-SPW35N60C3FKSA1
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SPP15P10PHXKSA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
SPP15N60CFDHKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-3
SPP100N04S2L-03
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
