מספר מוצר של יצרן:
SIHH24N65EF-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHH24N65EF-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 23A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
מלאי:
12787127
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHH24N65EF-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
158mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2780 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
202W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 8 x 8
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
SIHH24
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SIHH24N65EF-T1-GE3DKR
SIHH24N65EF-T1-GE3TR
SIHH24N65EF-T1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHG22N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
SQM90142E_GE3
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
SIHB11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
