מספר מוצר של יצרן:
SIHB11N80E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHB11N80E-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
5000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12787138
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHB11N80E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
88 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1670 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
179W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
SIHB11
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIHB11N80E-GE3-DG
742-SIHB11N80E-GE3
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SUD50P04-40P-T4-E3
MOSFET P-CH 40V 6A/8A TO252
SUM52N20-39P-E3
MOSFET N-CH 200V 52A TO263
SIHP21N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
