מספר מוצר של יצרן:
SQM90142E_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQM90142E_GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 95A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12787136
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQM90142E_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
95A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
85 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
SQM90142
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SQM90142E_GE3CT
SQM90142E_GE3TR
SQM90142E_GE3DKR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPB156N22NFDATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1051
DiGi מספר חלק
IPB156N22NFDATMA1-DG
מחיר ליחידה
3.78
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHB11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
SUD50P04-40P-T4-E3
MOSFET P-CH 40V 6A/8A TO252
SUM52N20-39P-E3
MOSFET N-CH 200V 52A TO263
