מספר מוצר של יצרן:
SIA415DJ-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIA415DJ-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
מלאי:
12918048
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIA415DJ-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
35mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
47 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1250 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SC-70-6
חבילה / מארז
PowerPAK® SC-70-6
מספר מוצר בסיסי
SIA415
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIA415DJ-T1-GE3CT
SIA415DJT1GE3
SIA415DJ-T1-GE3TR
SIA415DJ-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SIA445EDJ-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
619
DiGi מספר חלק
SIA445EDJ-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.19
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SISS10ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
SIHP14N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
SQ1431EH-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
