מספר מוצר של יצרן:
SI8816EDB-T2-E1
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI8816EDB-T2-E1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
מלאי:
12786731
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI8816EDB-T2-E1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
109mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
195 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
4-Microfoot
חבילה / מארז
4-XFBGA
מספר מוצר בסיסי
SI8816
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI8816EDB-T2-E1CT
SI8816EDB-T2-E1TR
SI8816EDB-T2-E1DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIDR626DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
SIR472DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
SQ2398ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
