מספר מוצר של יצרן:
SQ2398ES-T1_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQ2398ES-T1_GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 1.6A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
מלאי:
224582 יחידות חדשות מק originales במלאי
12786737
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQ2398ES-T1_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
152 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3 (TO-236)
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
SQ2398
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SQ2398ES-T1_GE3DKR
SQ2398ES-T1_GE3TR
SQ2398ES-T1_GE3CT
SQ2398ES-T1_GE3-DG
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQJ463EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
SQ2361AEES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
